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ピコ秒半導体レーザー

Picosecond Laser Diode Systems

Advanced Laser Diode Systemsはピコ秒半導体レーザー(PiLas Systems)を研究用に開発しております。

PiLas Systemsは最小18 ps (FWHM)短波長レーザーを発振するシステムです。
標準のシステムはドライバーEIG、レーザダイオードおよびコリメートレンズから成ります。
発振波長は375nm〜1550nmの間のスペクトル域の中の固定波長で、繰り返し周波数はシングルから1MHz可変、100MHzの固定があります。
シングルモードファイバー出力またはマルチモード・ファイバー出力のオプションも可能です。
他にもオプションがございますので、下記のPiLas Optionsを参考願います。


PiLas

主な仕様

Parameter Unit PIL037 PIL040 PIL043 PIL047 PIL048
PIL051
Wavelength nm 375 408 440 473 480 510
Tolerance nm +/-10 +/-10 +/-10 +/-10 +/-10 +/-10
Spectral width nm < 7 < 7 < 7 < 7 < 7 < 10
Pulse width ps < 60 < 45 < 60 < 60 < 60 < 70
Peak power in
Collimated beam
mW > 140 > 400 > 140 > 140 > 140 > 140

PIL051(PDF 984KB)

Parameter Unit PIL063 PIL067 PIL078 PIL083 PIL085 PIL090
Wavelength nm 635 670 780 830 850 905
Tolerance nm +/-10 +/-10 +/-15 +/-15 +/-15 +/-15
Spectral width nm < 7 < 7 < 7 < 10 < 10 < 10
Pulse width ps < 40 < 40 < 35 < 35 < 25 < 50
Peak power in
Collimated beam
mW > 150 > 300 > 300 > 400 > 100 > 400
Parameter Unit PIL106 PIL130 PIL155
Wavelength nm 1060 1300 1550
Tolerance nm +5/-15 +5/-15 +/-15
Spectral width nm < 12 < 13 < 15
Pulse width ps < 40 < 35 < 25
Peak power in
Collimated beam
mW > 400 > 100 > 50

Fast PiLas (100 MHz fixed, other frequencies on request)


EIG1000AF with PIL063F (free space)
PiLas 100 MHz control Unit (EIG1000AF)
Optical Heads (PILxxxF) for 400 nm - 1550nm


1 MHz PiLas (repetition rate from single shot to 1 MHz)


EIG1000D with PIL063SM (fiber coupler and fiber)
PiLas Digital Control Unit (EIG1000D)
Optical Heads (PILxxx) for 375 nm - 1550 nm)

Specification PiLas

PiLas options

Technical background PiLas

Pictures PiLas

高出力(30W,50W)半導体レーザー

High Power Diode Laser Systems

Advanced Laser Diode Systemsは高出力半導体レーザー(DioLas-Systems)を研究用に開発しております。

DioLas-Systemsは、30W,50Wのハイパワーレーザーを発振するシステムです。
標準のシステムはハイパワーレーザードライバーとTECコントローラーからなります。
発振波長は808nm,940nm,980nm,パワーはそれぞれ30W,50Wがあります。


High Power Diode Laser Systems DioLas

(DioLas DD50-2 with diode module DioMod-808-50-600-Pi and heat sink HS 120)


30 W cw/pulsed Systems (prepared for fiber coupling 400 um, 600 um, …)

@ 808 nm
@ 940 nm
@ 980 nm


50 W cw/pulsed Systems (prepared for fiber coupling 400 um, 600 um, …)

@ 808 nm
@ 940 nm
@ 980 nm


高速フォトデテクター (20GHz)

Ultra Fast Photo Detectors

Advanced Laser Diode Systemsは高速フォトデテクター (MSM photo detectors)を研究用に開発しております。

MSM高速フォトデテクターは、波長400nmから1600nmにおいてDC〜20GHz応答が可能です。


MSM Photo Detectors UltraFast



The standard configuration of the Ul traFast 20 SM photo detector


The UltraFast 20 FS free space photo detector with a focussing optics to prevent overfilling
Specification


UltraFast-20 (Bandwidth DC - 20 GHz)

UltraFast-20: responsivity vs. wavelength

UltraFast-20: 20 GHz time domain measurement

UltraFast-20: eye diagram


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